收藏本站
MUR260
http://onsemi.com
3
Figure 3. Maximum Reverse Current
Figure 4. Typical Reverse Current
Figure 5. Current Derating
Figure 6. Power Dissipation
Figure 7. Typical Capacitance
0
10
30
50
5.0
10 20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C, CAPACITANCE (pF)
TJ
= 25
°C
30 40 50
7.0
20
0
0.1
10
100
40 60
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
80 160100 120 140 180
200
1.0
I
R
, REVERSE CURRENT ( A)
75°C
TJ= 150°C
25°C
125°C
20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0 15075 225
0.001
0.1
1.0
I
R
600
375
300
0.01
, REVERSE CURRENT ( A)
125°C
25°C
100
525
450
75°C
IR
@ 150
°C
10
dc
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
050100
0
2.0
1.0
3.0
5.0
4.0
I
200
150
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F(AV)
SQUARE WAVE
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0
1.0
3.0
2.0
P
F(AV)
0
0.5 1.0 1.5 2.0 3.02.5
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
SQUARE WAVE
dc
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MUR440-E3/54 DIODE 4A 400V 50NS UF
MUR440RLG DIODE ULTR FAST 4A 400V DO-201AD
MUR450PFRLG DIODE ULTR FAST 4A 520V DO-201AD
MUR480ERL DIODE ULTR FAST 4A 800V DO-201AD
MUR490E DIODE ULTR FAST 4A 900V DO-201AD
MUR805 DIODE ULTRA FAST 8A 50V TO-220AC
MUR8100E DIODE UFAST 1000V 8A TO-220AC
MUR860 DIODE ULTRAFAST 8A 600V TO-220AC
相关代理商/技术参数
MUR260S 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION Ultra fast Plastic Rectifiers VOLTAGE: 600V CURRENT:2.0A
MUR280 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION Ultra fast Plastic Rectifiers VOLTAGE: 800V CURRENT:2.0A
MUR280S 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION Ultra fast Plastic Rectifiers VOLTAGE: 800V CURRENT:2.0A
MUR2960S 制造商:SIRECTIFIER 制造商全称:Sirectifier Semiconductors 功能描述:快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，超快恢复二极管Ultra Fast Recovery Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。
MUR2X030A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10
MUR2X030A06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 600V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10
MUR2X030A10 功能描述:DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.35V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1000V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10
MUR2X030A12 功能描述:DIODE GEN PURP 1200V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.35V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10